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自立式6吋快速退火爐(RTP-3-06系列)

RTP-3-06系列自立式6吋快速退火爐采用紅外輻射加熱技術，可實現大尺寸樣品(6英寸)快速升溫和降溫，可用于快速熱處理(RTP)、快速熱退火(RTA)、快速熱氧化(RTO)、快速熱氮化(RTN)及金屬合金化等半導體工藝。

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桌面式4吋快速退火爐(RTP-3-04系列)

快速退火爐RTP-3-04系列采用紅外輻射加熱技術，可實現大尺寸樣品（4英寸樣品）快速升溫和降溫，同時搭配超高精度溫度控制系統，可達到極佳的溫場均勻性，對材料的快速熱處理(RTP)、快速退火(RTA)、快速熱氧化(RTO)、快速熱氮化(RTN)及金屬合金化等研究和生產工作起到重要作用。

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桌面式1吋快速退火爐(RTP-3-01系列)

快速退火爐RTP-3-01系列采用紅外輻射加熱技術，可實現1吋(選配2吋)樣品快速升溫和降溫，同時搭配超高精度溫度控制系統，可達到極佳的溫場均勻性，對材料的快速熱處理(RTP)、快速退火(RTA)、快速熱氮化(RTN)、快速熱氧化(RTO)及金屬合金化等研究和生產起到重要作用。

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自立式8吋快速退火爐(RTP-3-08系列)

RTP-3-08系列自立式8吋快速退火爐采用紅外輻射加熱技術，可實現大尺寸樣品(8英寸)快速升溫和降溫，可用于快速熱處理(RTP)、快速熱退火(RTA)、快速熱氧化(RTO)、快速熱氮化(RTN)及金屬合金化等半導體工藝。

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液氮低溫恒溫器(LNT-3）

LNT-3系列液氮低溫恒溫器，是利用穩態氣泡原理使樣品處于恒定或按照所需方式變化的低溫環境中，并能對樣品進行一種或多種物理性能測量的低溫恒溫裝置。

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手動探針臺LNP-3RT

探針臺LNP-3RT為微米級小尺寸樣品電特性測試提供高精度、高接觸可靠性的可控測量環境。設備通過CMA中國計量認證。

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冷熱臺（LND-3M）

冷熱臺（LND-3M）系列，可實現連續變溫及逐點控溫，控溫精度±0.1℃；通過控制熱源（電阻加熱器）和冷源（液氮）來維持樣品所要求溫度的一種裝置，其采用PID調節與模糊控制相結合的方式進行溫度控制，能有效實現大溫區連續控制，按照既定程序升溫及保溫等。

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光模塊變溫測試臺LND-OM

光模塊變溫測試臺支持工業級低溫、常溫、高溫溫控，滿足 SFP 、QSFP 、QSFP-DD 封裝模塊使用，可擴展多類封裝模塊。廣泛應用于光模塊、光器件及其組件、小型和微型化封裝的電子產品，在研發、生產各個環節的高低溫測試中。

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變溫變磁霍爾效應測試儀HET-3TM

變溫變磁霍爾效應測試系統HET-3TM支持標準法和范德堡法兩種測量方法。其中標準法通過測量特定方向電壓差計算參數；范德堡法測量材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等電運輸性能參數，該方法可對薄膜或薄層材料進行測量

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科教一體霍爾效應測試儀

教學儀器的價格，科研設備的體驗：科教一體霍爾效應測試儀HET-3L是依據范德堡法測量材料的電運輸性能參數：載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等，更全面地評估材料的電性能，為電子器件和電路設計提供重要參考。

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薄膜熱電參數測試系統(MRS-3)

薄膜熱電參數測試系統MRS-3專門針對薄膜材料的變溫seebeck系數和電阻率的測量儀器，采用動態法和四線法保證測試結果的準確和穩定，擁有寬廣的測試范圍和便捷的操作界面。

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熱電參數測試系統(Namicro-3)

熱電參數測試系統Namicro-3采用動態法(具有專利技術-專利號：ZL201811242049.2發明專利)和四線法分別測量樣品的Seebeck系數和電阻率。Namicro-3主要是用于測試塊體熱電材料，包括康銅、鎳、鎢等金屬，Te、Bi2Te3、ZrNiSn、ZnAgSb、NiMoSb、SnTe、FeNbSb、CuGaTe2、GeTe、Ag1-xCuS、Cu2ZnSnSe4等半導體及化合物，以及聚苯胺、PEDOT等高分子聚合物。

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薄膜熱導率測試系統(TCT-3RT)

薄膜熱導率測試系統TCT-3RT采用3ω測試方法，利用微/納米薄膜材料導熱引起加熱器電信號的變化來檢測其熱導率。可驗證薄膜材料在室溫條件下的熱導率性能差異。主要應用范圍為微/納米薄膜材料的熱導率測量，可廣泛應用于輔助各種功能薄膜材料的研究與開發，其涵蓋范圍包括集成電路散熱材料、航空航天材料、熱電材料與器件、信息存儲與光電器件等。

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光功率熱分析儀(OPA-3)

光功率熱分析儀是世界首臺納米級薄膜材料物性分析儀，填補了國際對納米級薄膜材料無損檢測其相變溫度和熱膨脹系數的技術空白！不僅可用于檢測塊體，還可檢測低至1nm的薄膜材料。根據材料相變前后光學性質（反射光功率）有較大差異的特性檢測材料的相變溫度，依據光干涉原理檢測透光材料的熱膨脹系數，融合了相變溫度分析儀和熱膨脹系數分析儀的兩項功能。

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熱膨脹系數分析儀(TEA-3)

熱膨脹系數分析儀采用創新的光干涉原理專利技術（專利號：ZL201410421128.5），可無損檢測塊體和薄膜樣品透明材料的熱膨脹系數，廣泛應用于輔助各種新材料，尤其是薄膜材料的研究與開發以及質量檢驗。

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相變溫度分析儀(PCA-3)

相變溫度分析儀采用具有專利技術的光學系統檢測原理，PCA不僅可以檢測多種塊體材料，還可以檢測各種薄膜樣品。可以進行多項相變理論的實驗研究，如：薄膜材料相變的尺寸效應、結晶動力學、薄膜軟化、溶化溫度等。

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教學霍爾系數測試儀(HET-3EL)

教學霍爾系數測試儀(HET-3EL)，運用范德堡法，可用于測試教學樣品的霍爾系數、載流子濃度、載流子遷移率等，可為大專院校提供專業、便捷、快速高效的教學實訓服務。

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桌面式1吋快速退火爐-RTP-3E01（教學版）

快速退火爐采用紅外輻射加熱技術，可實現1吋(選配2吋)樣品快速升溫和降溫，同時搭配超高精度溫度控制系統，可達到極佳的溫場均勻性，對材料的快速熱處理(RTP)、快速退火(RTA)、快速熱氮化(RTN)、快速熱氧化(RTO)及金屬合金化等研究和生產起到重要作用。

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液氮低溫恒溫器-LNT-3E(教學版）

LNT系列液氮低溫恒溫器，是利用穩態氣泡原理使樣品處于恒定或按照所需方式變化的低溫環境中，并能對樣品進行一種或多種物理性能測量的低溫恒溫裝置。

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教學澤貝克系數測試儀(MRS-3EL)

教學澤貝克系數測試儀(MRS-3EL)，運用動態法，可用于測試教學樣品的澤貝克系數，為大專院校提供專業、便捷、快速高效的教學實訓服務。

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　　武漢嘉儀通科技有限公司成立于2009年，是以薄膜物性測量儀器作為戰略定位，技術自主創新的高新技術企業。公司集研發、市場和技術服務于一體，且相繼被評為湖北省“百人計劃 ”及武漢市政府“城市合伙人 ”企業。公司成立于 2009 年，總部位于中國·光谷，專注于薄膜材料物理性能測量儀器的自主研發···

案例展示

PRODUCT CATEGORY

材料熱分析、材料樣品制備與加工、材料電磁分析、材料力學分析、材料光學分析

江蘇大學1吋快速退火爐RTP-3S01實驗

江蘇大學1吋快速退火爐RTP-3S01升溫1200℃時軟件錄屏

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4吋快速退火爐RTP-3S04升溫實驗

中科院半導體研究所4吋快速退火爐RTP-3S04升溫1200℃實驗軟件錄屏

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1吋RTP-3S01快速退火爐實驗升溫曲線圖

清華大學1吋快速退火爐RTP-3S01系列升溫曲線圖

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4吋快速退火爐RTP-3S04升溫實驗曲線圖

浙江大學4吋快速退火爐RTP-3S04系列升溫曲線圖 4吋快速退火爐RTP-3S04升溫實···

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薄膜變溫電阻測試儀TRT-3

大連理工大學使用嘉儀通薄膜變溫電阻測試儀TRT-3測試CuNiFe樣品電阻率隨溫度變化結果 ···

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霍爾效應測試系統HET-3

山東大學使用嘉儀通霍爾效應測試系統HET-3測試鈦酸鍶樣品的電阻率、霍爾系數、載流子濃度、遷移率數據···

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薄膜熱導測試系統TCT-3

中科院上海微系統所購買嘉儀通薄膜熱導測試系統TCT-3，測試SiO2薄膜樣品熱導數據 &n···

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薄膜熱電參數測試系統MRS-3

中科院化學所購買嘉儀通薄膜熱電參數測試系統MRS-3，測試導電高分子薄膜樣品Seebeck系數和電阻···

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熱電參數測試系統Namicro-3

太原理工購買嘉儀通熱電參數測試系統Namicro-3L，測試MgSi樣品Seebeck系數和電阻率數···

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相變溫度分析儀PCA-3

成都理工購買嘉儀通相變溫度分析儀PCA-3，測試HfO2薄膜的相變溫度相變溫度分析儀PC···

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他們選擇了嘉儀通

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薄膜盛會圓滿落幕！武漢嘉儀通硬核技術閃耀第十七屆全國薄膜技術研討會

2025-11-28

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嘉儀通科技2025年文章獎勵政策

2025-11-13

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熱烈歡迎！中科院半導體所何力博士蒞臨嘉儀通交流用于先進制程退火工藝

2025-09-18

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西安建筑科技大學來嘉儀通科技參觀交流和研學活動

2025-09-08

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嘉儀通亮相第七屆材料微結構與性能學術會議展示材料物性分析設備

2025-05-21

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?西安石油大學理學院蒞臨嘉儀通調研校企合作，共商人才培養與就業新路徑

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智匯光谷、激活未來：嘉儀通科技硬核產品亮相化合物半導體產業博覽會

2025-04-26

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嘉儀通霍爾效應測試儀：助力氧化鎵單晶產業突破

2025-03-26

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江蘇大學1吋快速退火爐RTP-3S01實驗

4吋快速退火爐RTP-3S04升溫實驗

1吋RTP-3S01快速退火爐實驗升溫曲線圖

4吋快速退火爐RTP-3S04升溫實驗曲線圖

薄膜變溫電阻測試儀TRT-3

霍爾效應測試系統HET-3

薄膜熱導測試系統TCT-3

薄膜熱電參數測試系統MRS-3

熱電參數測試系統Namicro-3

相變溫度分析儀PCA-3

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嘉儀通霍爾效應測試儀：助力氧化鎵單晶產業突破

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